高压半导体功率装置的边缘终接的结构
专利申请权、专利权的转移
摘要
一种高压半导体功率装置的边缘终接的结构，其特征在于，在硅衬底中形成有核心沟槽及终端沟槽，其中所述终端沟槽比所述核心沟槽的深度深；所述核心沟槽及终端沟槽包括设于沟槽内侧壁和底部表面的氧化物，和位于所述氧化物之间的第一多晶硅。通过沟槽布局设计来改善边缘终止击穿的方法，从而能降低工艺成本；且通过沟槽布局设计，无需增加任何额外的掩模层或任何额外的处理步骤，即可实现高终端击穿电压，从而更好应用于较小尺寸的集成电路芯片范围。
基本信息
专利标题 ：
高压半导体功率装置的边缘终接的结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020631223.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-23
授权号 ：
CN211700290U
授权日 ：
2020-10-16
发明人 ：
苏毅
申请人 ：
南京紫竹微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市江北新区星火路17号创智大厦B座10C-A137室
代理机构 ：
上海容慧专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
于晓菁
优先权 ：
CN202020631223.9
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/40 H01L29/78
法律状态
2021-12-14 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 29/06
登记生效日 : 20211202
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 南京紫竹微电子有限公司
变更后权利人 : 华羿微电子股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 210008 江苏省南京市江北新区星火路17号创智大厦B座10C-A137室
变更后权利人 : 710018 陕西省西安市西安经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号
登记生效日 : 20211202
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 南京紫竹微电子有限公司
变更后权利人 : 华羿微电子股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 210008 江苏省南京市江北新区星火路17号创智大厦B座10C-A137室
变更后权利人 : 710018 陕西省西安市西安经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号
2020-10-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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