一种高功率半导体边缘封口机构
授权
摘要
本实用新型适用于半导体边缘封口领域，提供了一种高功率半导体边缘封口机构，包括边缘封口机构主壳体、旋转顶盖、操作平台以及凹形填充口，其特征在于：边缘封口机构主壳体的正端面设有操作平台，操作平台上设有显示屏，操作平台上还设有封口启动开关和挡位调节旋钮，边缘封口机构主壳体的内部还设有分隔板，安装底座上安装有驱动电机，真空抽吸泵装置的抽吸导管和边缘封口机构主壳体连接。本实用新型通过设置有半导体保护结构可以在半导体边缘处封口时起到保护的作用，可以有效防止半导体这样易损的电子元件在封口时遭到损害；本实用新型还通过设置有半导体放置孔可以单个进行封口也可以多个同时封口。
基本信息
专利标题 ：
一种高功率半导体边缘封口机构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022132666.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-25
授权号 ：
CN212810248U
授权日 ：
2021-03-26
发明人 ：
黄宁生
申请人 ：
深圳市万泰荣力光电科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙华区大浪街道大浪社区罗屋围第一工业区第三栋厂房A8层802
代理机构 ：
北京棘龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
聂颖
优先权 ：
CN202022132666.6
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 B65B51/00 B65B31/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-03-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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