高功率高亮度半导体激光器
专利权的终止
摘要
一种高功率高亮度半导体激光器，其特征在于至少包括一个基本封装单元：两个基本特性相同的半导体激光器管芯的P面均相对朝向并焊接在一微通道热沉上，该两半导体激光器管芯的P面由半导体激光器的正极引出，管芯的N面由半导体激光器的负极引出，所述的半导体激光器的正极、负极引出与微通道热沉之间由绝缘片分开。本实用新型的优点是：可以将输出功率和输出功率密度提高近两倍，还可以降低工作电压，提高器件的工作稳定性和工作寿命。
基本信息
专利标题 ：
高功率高亮度半导体激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620045616.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-09-08
授权号 ：
CN200944496Y
授权日 ：
2007-09-05
发明人 ：
辛国锋瞿荣辉程灿皮浩洋陈高庭方祖捷
申请人 ：
中国科学院上海光学精密机械研究所
申请人地址 ：
201800上海市800－211邮政信箱
代理机构 ：
上海新天专利代理有限公司
代理人 ：
张泽纯
优先权 ：
CN200620045616.1
主分类号 ：
H01S5/40
IPC分类号 ：
H01S5/40 H01S5/024 H01S5/022
法律状态
2010-09-22 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101005906690
IPC(主分类) : H01S 5/40
专利号 : ZL2006200456161
申请日 : 20060908
授权公告日 : 20070905
号牌文件序号 : 101005906690
IPC(主分类) : H01S 5/40
专利号 : ZL2006200456161
申请日 : 20060908
授权公告日 : 20070905
2007-09-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
CN200944496Y.PDF
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