一种高功率脉冲半导体激光器

授权

摘要

本实用新型涉及一种高功率脉冲半导体激光器，包括底座，底座包括多个支脚、柱体和半柱体，柱体由多个支脚共同支撑，半柱体固定设置在柱体的上部，半柱体的矩形侧面上固定设有过渡热沉，过渡热沉的相对侧面上固定设有正装芯片，正装芯片的相对侧面上固定设有与其电性连接的倒装芯片，正装芯片的出光面与倒装芯片的出光面相互对齐，使两颗芯片出光位置贴合到一起，正装芯片的长度大于倒装芯片的长度，或正装芯片的宽度大于倒装芯片的宽度，半柱体的顶部固定设有定位玻璃片，定位玻璃片的侧面固定设有光束整形透镜，光束整形透镜位于正装芯片的出光面与倒装芯片的出光面的上方，达到提升元器件功率的同时也使得元器件的耦合效率显著提升的目的。

基本信息

专利标题：

一种高功率脉冲半导体激光器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921639317.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-09-27

授权号：

CN210490077U

授权日：

2020-05-08

发明人：

范隆泉宋梦芹

申请人：

武汉高跃科技有限责任公司

申请人地址：

湖北省武汉市东湖新技术开发区流芳大道52号凤凰产业园（武汉中国光谷文化创意产业园）E地块10幢3层（2）厂房

代理机构：

武汉明正专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

江沣

优先权：

CN201921639317.4

主分类号：

H01S5/022

IPC分类号：

H01S5/022