高功率半导体激光器光纤耦合装置
专利权的终止
摘要
本实用新型涉及一种高功率半导体激光器光纤耦合装置,包括激光发射源、光学整形系统和与该光学整形系统输出端相连接的光纤,其中激光发射源为合束半导体激光器,且该合束半导体激光器的输出光路与所述的光学整形系统的输入端位置相对应。采用该种高功率半导体激光器光纤耦合装置,合束后的激光仍具有优质的光束模式质量,因此可以较容易的获得较高的光纤耦合效率;同时由于采用了带通滤波片合束的方式,合束后的激光基本上保持了单管优质的光束模式质量;不仅如此,本实用新型的高功率半导体激光器光纤耦合装置的结构简单,制造成本较低,而且工作性能稳定可靠、使用范围较为广泛,给人们的生产和生活带来了很大的便利。
基本信息
专利标题 :
高功率半导体激光器光纤耦合装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200720066814.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2007-01-30
授权号 :
CN201004529Y
授权日 :
2008-01-09
发明人 :
郭占华须跃辉孙斌姚毓明
申请人 :
上海幻晟光电科技有限公司
申请人地址 :
201615上海市松江九亭盛富路34号4栋2楼
代理机构 :
上海智信专利代理有限公司
代理人 :
王洁
优先权 :
CN200720066814.0
主分类号 :
H01S5/40
IPC分类号 :
H01S5/40 G02B6/00 G02B27/09 G02F1/35
相关图片
法律状态
2012-04-11 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101221512698
专利号 : ZL2007200668140
申请日 : 20070130
授权公告日 : 20080109
终止日期 : 20110130
IPC(主分类) : H01S 5/40
号牌文件序号 : 101221512698
专利号 : ZL2007200668140
申请日 : 20070130
授权公告日 : 20080109
终止日期 : 20110130
IPC(主分类) : H01S 5/40
2008-01-09 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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