一种高功率半导体激光器的光纤耦合结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种高功率半导体激光器的光纤耦合结构，涉及半导体激光器技术领域，用于解决现有的高功率半导体激光器的激光输出功率稳定性差的问题，包括光波导组件，所述光波导组件由入光口、入光段、连接口、出光段和出光口依次连接而成，所述入光段的外径从入光口到连接口逐渐减小，所述出光段的外径和对应光纤相配合，所述出光口和对应光纤相连接，多个激光器芯片发出的光，经过常规的方法进行光学整形与光束合束以后，投射到一个入光口，之后依次经过入光段、连接口、出光段和出光口，之后从光纤的一端导入，经过光纤传输后，从光纤的另一端输出，具有即使入射光束与入光口有微小的不对准，激光器的输出功率损失也较小的优点。
基本信息
专利标题 ：
一种高功率半导体激光器的光纤耦合结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020431506.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-30
授权号 ：
CN211605644U
授权日 ：
2020-09-29
发明人 ：
蔡万绍刘佳敏张邦清
申请人 ：
深圳活力激光技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区福海街道新和社区福园一路35号天瑞工业园A2栋301
代理机构 ：
成都弘毅天承知识产权代理有限公司
代理人 ：
戴立亮
优先权 ：
CN202020431506.9
主分类号 ：
H01S5/00
IPC分类号 ：
H01S5/00 H01S5/022
法律状态
2020-09-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
