一种高功率的水平阵列式半导体激光器
授权
摘要
一种高功率的水平阵列式半导体激光器，包括上压块、下压块、激光器单元、电极连接片、正极片、负极片、外冷却片、防护板；上压块、下压块设置于激光器单元两侧，呈对称设置；激光器单元设置于两个压块之间，单个激光器单元包括芯片、里冷却片、绝缘片、负极连接片；电级连接片设置于激光器单元两侧；正极片设置于一端激光器单元的底面；负极片设置于一端激光器的顶面；外冷却片设置于每侧电极连接片外侧；防护板分别贴合于上压块、下压块一侧，呈对称设置。本实用新型电极连接片的制造工艺难度，制造成本低，散热性能好，换热效率高，保证激光器可处于高性能运行状态。
基本信息
专利标题 ：
一种高功率的水平阵列式半导体激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921223322.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-31
授权号 ：
CN211295697U
授权日 ：
2020-08-18
发明人 ：
马永坤李军席道明陈云吕艳钊魏皓
申请人 ：
江苏天元激光科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省镇江市丹阳市高新技术产业集中区8号
代理机构 ：
南京源古知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
马晓辉
优先权 ：
CN201921223322.7
主分类号 ：
H01S5/40
IPC分类号 ：
H01S5/40 H01S5/024 H01S5/042
法律状态
2020-08-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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