一种垂直叠阵高功率半导体激光器

授权

摘要

本实用新型公开了一种垂直叠阵高功率半导体激光器，包括半导体激光器单元结构和制冷片安装槽结构，半导体激光器单元结构的表面开设有制冷片安装槽结构。该半导体激光器的半导体激光器单元结构自上而下依次叠加，上下相邻本体之间通过插块和插孔固定连接，且方形卡槽和定位孔分别与方形卡件和定位杆相互配合，使得单独半导体激光器单元结构可以通过插块和插孔之间的连接组成上下叠加的结构，还能够利用其两侧方形卡槽和定位孔以及方形卡件和定位杆之间的连接组成面积较大的结构，根据实际使用情况任意组合也便于拆卸，与传统的固定式安装方式相比，也更加灵活。

基本信息

专利标题：

一种垂直叠阵高功率半导体激光器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021981047.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-09-11

授权号：

CN213243106U

授权日：

2021-05-18

发明人：

罗小淑杨争

申请人：

杨争

申请人地址：

广东省广州市白云区振兴北路22号2栋101

代理机构：

深圳科湾知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

杨艳霞

优先权：

CN202021981047.8

主分类号：

H01S5/02315

IPC分类号：

H01S5/02315 H01S5/024 H01S5/02