一种高亮度高功率半导体发光器件及其制备方法
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摘要
一种高亮度高功率半导体发光器件及其制备方法，高亮度高功率半导体发光器件包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的调制结构，所述调制结构包括：载流子调制有源层；位于所述载流子调制有源层背离所述半导体衬底层一侧的调制隧道结；位于所述调制隧道结背离所述载流子调制有源层一侧的腔延长层；位于所述调制结构背离所述半导体衬底层一侧的第一有源层，所述载流子调制有源层中的载流子浓度小于所述第一有源层中的载流子浓度；位于所述第一有源层背离所述调制结构一侧的第一电流限制层。所述高亮度高功率半导体发光器件在实现高亮度和高功率的同时无法兼顾集成度高、可靠性高、成本低。
基本信息
专利标题 ：
一种高亮度高功率半导体发光器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114122913A
申请号 ：
CN202210110428.6
公开（公告）日 ：
2022-03-01
申请日 ：
2022-01-29
授权号 ：
CN114122913B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
肖垚王俊苗霈刘恒李泉灵廖新胜闵大勇
申请人 ：
苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区昆仑山路189号科技城工业坊-A区2号厂房-1-102、2号厂房-2-203
代理机构 ：
北京三聚阳光知识产权代理有限公司
代理人 ：
薛异荣
优先权 ：
CN202210110428.6
主分类号 ：
H01S5/20
IPC分类号 ：
H01S5/20 H01S5/183
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2022-03-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/20
申请日 : 20220129
申请日 : 20220129
2022-03-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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