在半导体功率元件的半导体薄片边缘上开环形槽的方法
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
摘要
一种在功率半导体元件的半导体薄片(5)边缘上开环形槽(8)的方法，该方法首先将边缘表面磨削，然后用边缘制成相应轮廓线的成形砂轮(3)一次操作开出槽(8)。采用粒度适度、结合方式适当的金刚砂粒制成的金刚砂轮可以获得高生产率。
基本信息
专利标题 ：
在半导体功率元件的半导体薄片边缘上开环形槽的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87107167A
申请号 ：
CN87107167.3
公开（公告）日 ：
1988-05-04
申请日 ：
1987-10-22
授权号 ：
CN1004244B
授权日 ：
1989-05-17
发明人 ：
吉里·德劳希奥托·库恩安德烈亚斯·鲁格
申请人 ：
BBC勃朗·勃威力有限公司
申请人地址 ：
瑞士巴登
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN87107167.3
主分类号 ：
H01L21/304
IPC分类号 ：
H01L21/304 B24B9/06 B24B19/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304
机械处理，例如研磨、抛光、切割
法律状态
1992-02-19 ：
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
1990-02-14 ：
授权
1989-05-17 ：
审定
1988-05-04 ：
公开
1988-04-06 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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