高功率密度3D半导体模块封装
公开
摘要
我们在此描述了包括至少两个功率半导体器件和第一类型的触点的半导体器件子组件。第一功率半导体器件位于第一类型的触点的第一侧上，第二功率半导体器件位于第一类型的触点的第二侧上，其中，第二侧与第一侧相反。
基本信息
专利标题 ：
高功率密度3D半导体模块封装
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114600238A
申请号 ：
CN202080016627.X
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2020-11-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王彦刚罗海辉刘国友
申请人 ：
丹尼克斯半导体有限公司;株洲中车时代半导体有限公司
申请人地址 ：
英国林肯郡
代理机构 ：
北京聿宏知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴大建
优先权 ：
CN202080016627.X
主分类号 ：
H01L25/07
IPC分类号 ：
H01L25/07 H01L25/18 H01L23/24 H01L21/54 H01L21/50 H01L21/60 H01L23/488
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/07
包含在H01L29/00组类型的器件
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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