高压半导体组件以及其制作方法

授权

摘要

本发明公开一种高压半导体组件以及其制作方法，利用于半导体基底中形成凹陷，再于凹陷中形成栅极介电层以及主栅极结构。因此，以本发明制作方法形成的高压半导体组件可包括主栅极结构低于半导体基底中的隔离结构的上表面，由此可避免因高压半导体组件所需厚度较厚的栅极介电层所导致的栅极结构高度过高而影响与其他半导体组件之间的制作工艺整合问题。

基本信息

专利标题：

高压半导体组件以及其制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN107978634A

申请号：

CN201610917428.1

公开（公告）日：

2018-05-01

申请日：

2016-10-21

授权号：

CN107978634B

授权日：

2022-05-24

发明人：

萧世楹刘冠良杨庆忠江品宏

申请人：

联华电子股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学工业园区

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陈小雯

优先权：

CN201610917428.1

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/423 H01L21/336

法律状态

2022-05-24 ：

授权

2019-09-20 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20161021

2018-05-01 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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