高压电平位移电路及半导体器件
授权
摘要
本发明公开一种高压电平位移电路及半导体器件。该高压电平位移电路包括：电平转换电路，用于将具有第一高电平的输入信号转换成具有第二高电平的输出信号；第一开关，所述第一开关的一端与第一电源连接，所述第一开关的另一端与所述第一晶体管的控制端连接；第二开关，所述第二开关的一端与所述第一晶体管的控制端连接，所述第二开关的另一端与所述第一连接点连接；开关控制电路，分别与所述第一开关和所述第二开关连接，用于控制第一开关和第二开关不同时导通。本发明通过在电平转换电路中新增第一开关和第二开关，并通过开关控制电路控制第一开关和第二开关不同时导通，从而大大降低了高压电平位移电路在电压转换过程中会产生的静态电流。
基本信息
专利标题 ：
高压电平位移电路及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109309493A
申请号 ：
CN201710620849.2
公开（公告）日 ：
2019-02-05
申请日 ：
2017-07-27
授权号 ：
CN109309493B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
權彞振倪昊殷常伟郁红
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王云飞
优先权 ：
CN201710620849.2
主分类号 ：
H03K19/0185
IPC分类号 ：
H03K19/0185
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2019-03-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03K 19/0185
申请日 : 20170727
申请日 : 20170727
2019-02-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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