一种低高压驱动器
专利权的终止
摘要
本发明是一种低高压驱动器，用标准N阱CMOS工艺将低压CMOS电路与高压驱动电路兼容在同一个芯片上，与已有的同功能的双极型结构相比，具有低功耗、高输入阻抗、高抗干扰的优点，与已有的MOS高压器件相比，采用一次离子注入可同时形成低压电路的N阱与高压电路的漂移区，从而工艺简单。本发明可广泛用于计算机输出接口、机电设备的驱动及高压显示等领域。
基本信息
专利标题 ：
一种低高压驱动器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN85200131.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1985-04-01
授权号 ：
CN85200131U
授权日 ：
1985-10-10
发明人 ：
庄庆德
申请人 ：
南京工学院
申请人地址 ：
江苏省南京市四牌楼2号
代理机构 ：
南京工学院专利事务所
代理人 ：
姚建楠
优先权 ：
CN85200131.2
主分类号 ：
H01L27/06
IPC分类号 ：
H01L27/06 H01L21/265
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/06
在非重复结构中包括有多个单个组件的
法律状态
1989-12-13 ：
专利权的终止
1986-06-04 ：
变更
变更后 : 童勤义;陈德英;唐国洪 卷 : 2 号 : 12 变更事项 : 增加设计人 页码 : 22 变更前 : 缺失部分设计人
1986-03-19 ：
授权
1985-10-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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