一种DRAM全局字线驱动电路
授权
摘要
本实用新型公开了一种DRAM全局字线驱动电路，包括全局字线驱动模块和电源切换模块，所述的电源切换模块的输出与多个所述的全局字线驱动模块的电源输入相连，其中，所述的全局字线驱动模块包括依次连接用于驱动全局字线的地址选择下拉电路、预充电锁存电路和全局字线输出驱动电路。通过上述方式，本实用新型提供的DRAM全局字线驱动电路，结构简单，设计合理，能够有效地降低DRAM全局字线驱动电路在待机模式下的漏电，通过降低待机模式下的全局字线驱动电路的电源电压，来减小其晶体管源漏两端跨压，增大PMOS晶体管的阈值电压的绝对值，从而达到减小其漏电电流的目的。
基本信息
专利标题 ：
一种DRAM全局字线驱动电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920881743.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-13
授权号 ：
CN209747134U
授权日 ：
2019-12-06
发明人 ：
杜艳强吴君张学渊朱光伟
申请人 ：
苏州汇峰微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道1355号国际科技园三期9楼A3–A6
代理机构 ：
苏州广正知识产权代理有限公司
代理人 ：
谢东
优先权 ：
CN201920881743.2
主分类号 ：
G11C11/408
IPC分类号 ：
G11C11/408
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的
G11C11/4063
辅助电路，例如，用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的
G11C11/407
用于场效应型存储单元的
G11C11/408
寻址电路
法律状态
2019-12-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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