一种纵向结构氮化镓功率晶体管的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明属于半导体技术领域,更具体地,涉及一种纵向结构氮化镓功率晶体管的制备方法。通过选择区域外延,同时形成深槽p阱屏蔽层和凹槽结构,能够有效降低栅氧化层电场,避免了高氧化层电场带来的器件可靠性问题,同时避免了干法刻蚀带来的凹槽的损伤和界面态缺陷,从而提高器件的耐压能力和可靠性。
基本信息
专利标题 :
一种纵向结构氮化镓功率晶体管的制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114335148A
申请号 :
CN202111675551.4
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2021-12-31
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
刘扬黎城朗
申请人 :
中山大学
申请人地址 :
广东省广州市海珠区新港西路135号
代理机构 :
广州粤高专利商标代理有限公司
代理人 :
王晓玲
优先权 :
CN202111675551.4
主分类号 :
H01L29/06
IPC分类号 :
H01L29/06 H01L29/423 H01L29/45 H01L21/336 H01L29/78
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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