一种超结结构的氧化镓功率晶体管及其制备方法
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摘要
本发明公开了一种超结结构的氧化镓功率晶体管及其制备方法，针对现有技术中如何解决器件反向耐压和导通电阻之间的矛盾提出本方案。主要特点在氧化镓漂移层上端面铺设超结P型掺杂层，使得超结P型掺杂层与氧化镓漂移层构成超结结构。优点在于，通过在氧化镓功率晶体管引入p型氧化物半导体形成异质pn结的超结结构，利用超结的耗尽作用改善关态时器件漂移区的电场分布，从而实现漂移区的全耗尽，大幅度提升器件反向耐压；另一方面，可以通过比例的增加氧化镓漂移层和超结P型掺杂层的掺杂浓度，在保持高反向耐压的同时显著降低器件导通电阻。此外，该方法巧妙的规避了氧化镓材料难以实现p型掺杂的局限，制备工艺简单可靠。
基本信息
专利标题 ：
一种超结结构的氧化镓功率晶体管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113594252A
申请号 ：
CN202110858315.X
公开（公告）日 ：
2021-11-02
申请日 ：
2021-07-28
授权号 ：
CN113594252B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
徐童龄卢星邓郁馨王钢陈梓敏
申请人 ：
中山大学
申请人地址 ：
广东省广州市海珠区新港西路135号中山大学
代理机构 ：
广州海心联合专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄为
优先权 ：
CN202110858315.X
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/808 H01L29/06 H01L29/36 H01L21/34
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2021-11-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20210728
申请日 : 20210728
2021-11-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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