逆变器用NPN型功率晶体管

专利权质押合同登记的生效、变更及注销

摘要

本实用新型涉及一种逆变器用NPN型功率晶体管，在N⁺型衬底层的下表面设有背面金属层，在N⁺型衬底层的上表面设有N^‑型衬底层，在N^‑型衬底层内设有P^‑型基区，在P^‑型基区内设有N⁺型发射区与N⁺型增阻环，N⁺型增阻环包围所述的N⁺型发射区，在P^‑型基区的上表面设有基区金属层，在基区金属层的上表面设有基区金属层引出端，在N⁺型发射区的上表面设有发射区金属层，在发射区金属层的上表面设有发射区金属层引出端，发射区金属层与基区金属层之间通过绝缘介质层相互隔离。本实用新型提高了特征频率，减小了开关时间；能吸附杂质，降低漏电流；能够减少尖峰击穿，减小产品的漏电流；提高了产品的功率耐量，使产品具有较高的抗过热点烧毁能力。

基本信息

专利标题：

逆变器用NPN型功率晶体管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020538443.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-04-13

授权号：

CN211507640U

授权日：

2020-09-15

发明人：

龚利汀刘宁

申请人：

无锡固电半导体股份有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市新吴区新梅路68号

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)

代理人：

曹祖良

优先权：

CN202020538443.7

主分类号：

H01L29/732

IPC分类号：

H01L29/732 H01L23/29 H01L29/06 H01L29/45