一种功率晶体管及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种功率晶体管及其制备方法，所述功率晶体管包括：半导体衬底；第一外延层，设置于所述半导体衬底之上；第二外延层，设置于所述第一外延层之上；第三外延层，设置于所述第二外延层之上；多个第一体区，从第一外延层延伸穿过第二外延层一直延伸到第三外延层中；多个第二体区，设置所述第一外延层中且位于相应的第一体区下方；多个第三体区，设置于所述元胞区和所述终端结构区内的相应所述第一体区上方；第四体区，设置于过渡区内的相应所述第一体区上方；多个元胞区沟槽，设置于元胞区内的所述第三外延层中；过渡区沟槽，设置于过渡区的所述第三外延层中；其中，在所述元胞区沟槽内形成深槽屏蔽栅结构。
基本信息
专利标题 ：
一种功率晶体管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388623A
申请号 ：
CN202210153466.X
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2022-02-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
尹玉春
申请人 ：
上海昱率科技有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区海洋一路333号1号楼、2号楼
代理机构 ：
北京中知法苑知识产权代理有限公司
代理人 ：
李明
优先权 ：
CN202210153466.X
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336 H01L29/06 H01L29/423
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20220218
申请日 : 20220218
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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