晶体管和包含所述晶体管的功率放大器
公开
摘要
本公开涉及晶体管和包含所述晶体管的功率放大器。一种半导体装置包括具有前侧的管芯主体和具有形成于管芯主体中的有源区域的晶体管，有源区域由外周边限界。互连结构形成于管芯主体的前侧上且包含限定第一触点、第二触点和第三触点的图案化导电材料，第一触点、第二触点和第三触点分别电耦合到晶体管的有源区域内的第一子区、第二子区和第三子区。前侧输入/输出(I/O)接口形成于互连结构的外部部分中。前侧I/O接口包含第一接触衬垫、第二接触衬垫和第三接触衬垫，第一接触衬垫电连接到第一触点，第二接触衬垫电连接到第二触点，并且第三接触衬垫电连接到第三触点，其中第三接触衬垫定位在上覆于晶体管的有源区域的位置处。
基本信息
专利标题 ：
晶体管和包含所述晶体管的功率放大器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361138A
申请号 ：
CN202111096387.1
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-09-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
V·希利姆卡尔R·斯里尼迪安巴尔I·克哈莉
申请人 ：
恩智浦美国有限公司
申请人地址 ：
美国得克萨斯
代理机构 ：
中国贸促会专利商标事务所有限公司
代理人 ：
张丹
优先权 ：
CN202111096387.1
主分类号 ：
H01L25/07
IPC分类号 ：
H01L25/07 H01L23/538 H01L23/482 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/07
包含在H01L29/00组类型的器件
法律状态
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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