LDMOS晶体管的场氧化层隔离结构及其制备方法

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摘要

本发明提供的一种LDMOS晶体管的场氧化层隔离结构及其制备方法，该制备方法包括：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成第一氧化层和第二氧化层；在所述第二氧化层上形成图形化的光刻胶层；以及以所述图形化的光刻胶层为掩模，对所述第二氧化层进行刻蚀工艺，并清除所述图形化的光刻胶层，以形成LDMOS晶体管的场氧化层隔离结构。本发明将现有的ONO叠层的场氧化层隔离结构替换为由第一氧化层和第二氧化层组成的叠层的场氧化层隔离结构，以减低场氧化层隔离结构对LDMOS晶体管的电气特性的影响。进一步的，在所述第二氧化层上形成保护层，以减低后续离子注入工艺、清洗工艺等对场氧化层隔离结构的损伤。

基本信息

专利标题：

LDMOS晶体管的场氧化层隔离结构及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110137260A

申请号：

CN201910435315.1

公开（公告）日：

2019-08-16

申请日：

2019-05-23

授权号：

CN110137260B

授权日：

2022-05-10

发明人：

吴亚贞刘长振

申请人：

上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请人地址：

上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

屈蘅

优先权：

CN201910435315.1

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L21/336 H01L29/40