可集成的高压VDMOS晶体管结构及其制备方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种可集成的高压VDMOS晶体管结构及其制备方法。其结构采用在N型外延层4与衬底1的界面上设有N型埋层2，在N型外延层上设有P型体沟道区11和深N+扩散区5及P型阱6，该P型体沟道区的四周设有P型场限环7，该P型体沟道区的内部设有源区，源区内设有N+环12s和P+接触区13，该深N+扩散区与N型埋层相连接构成漏区引出，在栅氧化层和场氧化层表面设置有多晶硅栅和场板。其制备过程是：注入埋层、生长外延层，在外延层上注入深N+扩散区、P型阱、场限环，并对外延层进行氧化、淀积、刻蚀多晶硅形成多晶硅栅极及场板，用自对准工艺制备体沟道区，在体沟道区内注入源区和在深N+扩散区内注入漏区的接触区。具有击穿电压高的优点，可用于高压功率集成电路。
基本信息
专利标题 ：
可集成的高压VDMOS晶体管结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1779988A
申请号 ：
CN200510096163.5
公开（公告）日 ：
2006-05-31
申请日 ：
2005-10-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
庄奕琪李小明邓永洪张丽
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
710071陕西省西安市太白路2号
代理机构 ：
陕西电子工业专利中心
代理人 ：
王品华
优先权 ：
CN200510096163.5
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/02 H01L27/00 H01L21/336 H01L21/822
法律状态
2014-12-10 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101591311241
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2005100961635
申请日 : 20051014
授权公告日 : 20080611
终止日期 : 20131014
号牌文件序号 : 101591311241
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2005100961635
申请日 : 20051014
授权公告日 : 20080611
终止日期 : 20131014
2008-06-11 ：
授权
2006-07-26 ：
实质审查的生效
2006-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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