高压晶体管仿真模型及建模方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种高压晶体管仿真模型及建模方法。所述仿真模型及建模方法在BSIM仿真模型的基础上，在高压晶体管的漏极端串联一个可变电阻，在一定温度条件下，所述可变电阻的阻值与所述高压晶体管的栅源电压和漏源电压的多项式函数成正比。通过高压晶体管的测试数据提取所述可变电阻的关系式，并被SPICE工具调用，可得到优化后的BSIM仿真模型，实验数据表明，使用该优化后的BSIM仿真模型对高压晶体管的特性曲线进行仿真可以改善仅采用通用BSIM仿真模型仿真时存在的不收敛的问题，有助于提升高压器件设计的效率和准确性，缩短产品设计周期及降低成本。
基本信息
专利标题 ：
高压晶体管仿真模型及建模方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114330228A
申请号 ：
CN202210229031.9
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-03-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高锡龙郭千琦曾权飞
申请人 ：
晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周耀君
优先权 ：
CN202210229031.9
主分类号 ：
G06F30/398
IPC分类号 ：
G06F30/398
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/398
设计验证或优化，例如：使用设计规则检查、布局与原理图或有限元方法
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 30/398
申请日 : 20220310
申请日 : 20220310
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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