一种GaN HEMT晶体管小信号模型建模方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种GaN HEMT晶体管的小信号模型的建模方法，在构建小信号模型的过程中，对混合提取方法做进一步的改进，仅优化Cpg、Cgsi、Cpgd、Cgdi、Cpd、Cdsi这6个寄生电容值，优化过程简单省时，大大减少了多参数优化导致的误差累积问题；并根据器件的物理特性做出合理的假设，使得到的小信号模型参数值具有正确的物理意义，能够准确反映器件的工作状态；优点是参数提取过程简单省时，参数提取结果可靠性较高，能够用于不同结构的器件，可移植性和通用性较高。
基本信息
专利标题 ：
一种GaN HEMT晶体管小信号模型建模方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114330192A
申请号 ：
CN202111447793.8
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张丽刘太君叶焱许高明
申请人 ：
宁波大学
申请人地址 ：
浙江省宁波市江北区风华路818号
代理机构 ：
宁波奥圣专利代理有限公司
代理人 ：
方小惠
优先权 ：
CN202111447793.8
主分类号 ：
G06F30/367
IPC分类号 ：
G06F30/367
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/367
设计验证，例如，采用仿真，集成电路仿真程序，直接方法或松弛方法
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 30/367
申请日 : 20211130
申请日 : 20211130
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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