本发明公开了一种GaN HEMT晶体管的DC‑IV模型建模方法，先通过测试GaN HEMT晶体管的DC—IV特性，得到GaN HEMT晶体管原始的DC‑IV特性数据，并进行归一化处理，然后构建全连接前馈神经网络模型，将GaN HEMT晶体管原始的DC‑IV特性数据进行归一化处理的数据作为训练数据去训练全连接前馈神经网络模型，即可得到GaN HEMT晶体管的DC‑IV模型；该方法的优点是以全连接神经网络模型作为载体，不需要GaN HEMT晶体管的内部结构信息，仅依靠GaN HEMT晶体管的DC‑IV测试数据即可实现建模，其收敛速度快、泛化能力强，可以准确模拟并预测GaN HEMT晶体管的DC‑IV特性，大大缩短了建模周期，同时提高了建模精度。