一种场效应晶体管的建模方法

实质审查的生效

摘要

本申请公开了一种场效应晶体管的建模方法，包括：建立FET的小信号本征部分等效电路，并由此获得内部本征参数与外部偏置的关系；构建FET的大信号模型，其包括栅极电荷源、漏极电荷源、栅极电流源、漏极电流源和NQS子电路；通过对端口电压进行路径积分，得到非线性电流源、电荷源与端口电压之间的关系；之后可使用查找表的方式储存或使用神经网络训练得到神经网络解析模型。本申请在电流源和电荷源的积分过程中，将NQS效应全部剔除，这种建模方式与NQS的物理机理一致，保证了小信号模型和大信号模型的统一，模型的精度不受频带的影响，也不需要使用高阶源，无论从模型的鲁棒性，精确度以及模型抽取的难度而言，都显著优于现有模型框架。

基本信息

专利标题：

一种场效应晶体管的建模方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114386347A

申请号：

CN202011115348.7

公开（公告）日：

2022-04-22

申请日：

2020-10-19

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

黄安东

申请人：

苏州华太电子技术有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园10-1F

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

赵世发

优先权：

CN202011115348.7

主分类号：

G06F30/33

IPC分类号：

G06F30/33 G06F30/27

IPC结构图谱

G部——物理

G06

计算；推算或计数

G06F

电数字数据处理

G06F30/33

设计验证，例如功能仿真或模型检查

法律状态

2022-05-10 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : G06F 30/33
申请日 : 20201019

2022-04-22 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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