可集成的高压P型LDMOS晶体管结构及其制备方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种可集成的高压LDMOS晶体管结构及其制备方法。其结构采用在P型衬底1与N型外延层3之间设有埋层2，在N型外延层上设的源、漏区之间设有场氧化层9作为厚栅氧化层，该厚栅氧化层上设有N型多晶硅栅8，其延长部分为场板12；在漏区内设有低浓度P型区5，该P型区里设有P+区7D，该P+区的两边均设有P型漂移区4D，源区中间设有N+接触区6，该N+接触区的两边均设有P+区7S，每个P+区的一边各设有P型漂移区4S。其制备过程是：注入埋层、生长外延层，进行外延层场氧化，淀积并刻蚀多晶硅栅，在外延层上依次注入漏区的低浓度的P型区、源区的N+接触区、漏区的P+区、源区的P+区。具有击穿电压高的优点，可用于高压功率集成电路。
基本信息
专利标题 ：
可集成的高压P型LDMOS晶体管结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1779987A
申请号 ：
CN200510096162.0
公开（公告）日 ：
2006-05-31
申请日 ：
2005-10-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
庄奕琪李小明张丽邓永洪
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
710071陕西省西安市太白路2号
代理机构 ：
陕西电子工业专利中心
代理人 ：
王品华
优先权 ：
CN200510096162.0
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/02 H01L27/00 H01L21/336 H01L21/822
法律状态
2014-12-10 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101591311606
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2005100961620
申请日 : 20051014
授权公告日 : 20080220
终止日期 : 20131014
号牌文件序号 : 101591311606
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2005100961620
申请日 : 20051014
授权公告日 : 20080220
终止日期 : 20131014
2008-02-20 ：
授权
2006-07-26 ：
实质审查的生效
2006-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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