高压晶体管LDD离子注入的方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明公开了一种高压晶体管LDD离子注入的方法,将高压器件工艺过程中多次的LDD离子注入分离开来,较高能量的离子注入在栅的氧化硅侧墙形成前进行,而能量较低的离子注入则放在栅的氧化硅侧墙以后来完成,这样使得LDD在与栅的交叠区有较轻的掺杂,可以增大LDD结的击穿电压,还可以减小热载流子效应,提高器件的可靠性,同时由于侧墙与源漏间的掺杂浓度不变,器件的阈值电压和饱和电流将基本保持不变。
基本信息
专利标题 :
高压晶体管LDD离子注入的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1983529A
申请号 :
CN200510111433.5
公开(公告)日 :
2007-06-20
申请日 :
2005-12-13
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
钱文生胡君
申请人 :
上海华虹NEC电子有限公司
申请人地址 :
201206上海市浦东新区川桥路1188号
代理机构 :
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 :
丁纪铁
优先权 :
CN200510111433.5
主分类号 :
H01L21/336
IPC分类号 :
H01L21/336 H01L21/265
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2009-07-29 :
发明专利申请公布后的驳回
2007-08-15 :
实质审查的生效
2007-06-20 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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