一种高压MOSFET晶体管终端结构及制备方法
公开
摘要
本申请涉及一种高压MOSFET晶体管终端结构及制备方法，其中方法包括：衬底层，所述衬底层包括基底和外延层，所述外延层上形成有氧化层，所述氧化层上横向开设有多个掺杂窗口，所述掺杂窗口延伸至所述外延层，多个所述掺杂窗口的尺寸沿远离主结的方向依次变小；横向变掺杂结构，包括形成于外延层内的多个变掺杂分压环，每个所述变掺杂分压环位于每个掺杂窗口处，所述变掺杂分压环底部下方与所述衬底层之间形成多个结深沿远离主结的方向依次变浅的浮空PN结。本申请具有的技术效果是：有助于实现终端结构在保持耐压性的同时保持较小的尺寸，从而有助于改善终端结构所占芯片面积较高的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种高压MOSFET晶体管终端结构及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613845A
申请号 ：
CN202210264590.3
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
江子标刘贺
申请人 ：
江苏铨力半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市武进国家高新技术产业开发区龙资路1号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210264590.3
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/40 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
