三维隔离型超结结构场效应晶体管及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请是关于一种三维隔离型超结结构场效应晶体管，包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、屏蔽栅、控制栅、沟槽绝缘层、源极、漏极、金属栅极、P型超结柱以及三维绝缘层；P型超结柱以及漂移区沿着第一方向设置在衬底区上，三维绝缘层设置在P型超结柱及漂移区之间；基体区设置在漂移区上方，使得基体区的顶面与P型超结柱的顶面平齐；源区包括P型源区和N型源区；源区设置在基体区与P型超结柱上方；控制栅和屏蔽栅由上至下依次设置在漂移区的侧方，并通过绝缘层分别与漂移区、基体区、源区和P型超结柱相接；源极设置在源区上方；漏极设置在衬底区下方；金属栅极设在控制栅上方。本申请提供的方案，能够有效降低晶体管的导通电阻。
基本信息
专利标题 ：
三维隔离型超结结构场效应晶体管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335140A
申请号 ：
CN202111547163.8
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张子敏王宇澄虞国新吴飞钟军满
申请人 ：
无锡先瞳半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢8层810
代理机构 ：
广州市时代知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈惠珠
优先权 ：
CN202111547163.8
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/423 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211216
申请日 : 20211216
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
