本发明公开了一种超结器件结构及其制备方法，方法包括提供第一导电类型的半导体衬底；在半导体衬底上外延生长第一导电类型的外延层；在外延层内形成第二导电类型的柱结构，且柱结构沿外延层的厚度方向上延伸；在柱结构的顶部进行第一次离子注入形成离子层结构，从离子层结构的顶部进行第二次离子注入，在离子层结构的下部形成体接触区，在外延层的上表面形成栅氧化层；在栅氧化层的上表面形成多晶硅栅；通过离子注入工艺在体接触区内形成源区；在多晶硅栅的表面和侧壁形成层间电介质层。本发明能够有效消除形成体接触区时热推进驱入过程中，造成体接触区与外延层的掺杂离子相互扩散导致电荷分布不平衡的现象，从而提升器件的耐压性能。