调整晶体管的浅沟渠隔离结构应力的方法
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摘要
本发明提供一种调整浅沟渠隔离结构的应力的方法，以改善晶体管的载子漂移率，主要包括下列步骤：在基材中形成沟渠并且将介电材质填入沟渠，然后在沟渠之间形成CMOS晶体管，且在源极/汲极区域的表面上形成硅化金属层。接着移除一部分的介电材质，以形成浅沟渠隔离(STI)的凹型区域，使介电材质的表面低于基材表面。此凹型区域用以移除STI施加在通道区域的压缩应力。然后在闸极、闸间隙壁、源极/汲极以及介电材质上形成接触蚀刻终止层，以施加一应力在通道区域，或是通过沟渠中的衬壁施加应力在通道区域上。并且在STI的凹型区域形成间隙壁。本发明改善了CMOS晶体管的载子漂移率，以提高元件的操作效能，并且解决渗透物的问题。
基本信息
专利标题 ：
调整晶体管的浅沟渠隔离结构应力的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1797736A
申请号 ：
CN200510127573.1
公开（公告）日 ：
2006-07-05
申请日 ：
2005-12-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
柯志欣葛崇祜黄健朝
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路8号
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200510127573.1
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762 H01L21/8238 H01L27/092
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2008-07-30 ：
授权
2006-08-30 ：
实质审查的生效
2006-07-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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