非平面晶体管中的栅极隔离

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摘要

实施例包括一种装置，所述装置包括：彼此平行的第一和第二半导体鳍片；在第一鳍片上的第一栅极，其包括在第一和第二鳍片之间的第一栅极部分；在第二鳍片上的第二栅极，其包括在第一和第二鳍片之间的第二栅极部分；沿第一栅极部分的第一面延伸的第一氧化物层，沿第二栅极部分的第二面延伸的第二氧化物层，以及将第一和第二氧化物层连接到彼此的第三氧化物层；以及在第一和第二栅极部分之间的绝缘材料；其中，第一、第二和第三氧化物层每个包括氧化物材料，并且绝缘材料不包括氧化物材料。在本文中描述了其他实施例。

基本信息

专利标题：

非平面晶体管中的栅极隔离

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN108369959A

申请号：

CN201580085575.0

公开（公告）日：

2018-08-03

申请日：

2015-12-26

授权号：

CN108369959B

授权日：

2022-04-12

发明人：

L.P.古勒G.比马拉塞蒂V.沙尔马W.M.哈费茨C.P.奥思

申请人：

英特尔公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

张凌苗

优先权：

CN201580085575.0

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L21/336