一种功率晶体管用的热沉结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种功率晶体管用的热沉结构，其包括具有凹槽的吸热构件及与吸热构件相连的散热构件，吸热构件通过其凹槽来容纳功率晶体管的塑封主体，并至少与塑封主体的两个表面进行面接触。该热沉结构提高了其对功率晶体管的散热效率，由此可以提高功率晶体管的运行稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种功率晶体管用的热沉结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020272517.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-06
授权号 ：
CN211428149U
授权日 ：
2020-09-04
发明人 ：
刘宇航敖利波史波曹俊
申请人 ：
珠海格力电器股份有限公司
申请人地址 ：
广东省珠海市前山金鸡西路
代理机构 ：
北京聿宏知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴大建
优先权 ：
CN202020272517.7
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/373
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2020-09-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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