用于薄膜晶体管的富氮氮化硅膜
公开
摘要
本公开内容的多个实施方式一般涉及富氮氮化硅和多个用以沉积富氮氮化硅的方法，和包含富氮氮化硅的多个晶体管和其他装置。在一个或多个实施方式中，一种钝化膜堆叠物包含氧化硅层，氧化硅层设置于工件上；和富氮氮化硅层，富氮氮化硅层设置于氧化硅层上。富氮氮化硅层具有约20原子百分比(at％)至约35at％的硅浓度、约40at％至约75at％的氮浓度和约10at％至约35at％的氢浓度。在一个或多个例子中，钝化膜堆叠物包含氧化硅层、富氮氮化硅层和第三层，第三层包含任何类型的氮化硅，例如是富氮氮化硅和/或富氢氮化硅。
基本信息
专利标题 ：
用于薄膜晶体管的富氮氮化硅膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114303239A
申请号 ：
CN202080061205.4
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2020-06-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
罗德尼·顺隆·利马金正倍王家锐崔羿任东吉崔寿永
申请人 ：
应用材料公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN202080061205.4
主分类号 ：
H01L23/29
IPC分类号 ：
H01L23/29 H01L23/31 H01L27/12 H01L29/786 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/29
按材料特点进行区分的
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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