用于成像系统的薄膜晶体管
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要

一种环形薄膜晶体管60,包括:布置在半导体材料层66之上的环形源电极62;在环形源电极62内布置在半导体材料层66之上的漏电极64;以及位于漏电极64和环形源电极64之间的有源沟道76,其中有源沟道76的一个表面包括暴露的半导体材料。而且,一种蛇形薄膜晶体管78,包括:布置在半导体材料层82之上的蛇形源电极80;布置在半导体材料层82上和基本位于由蛇形源电极80形成的凹槽之中的漏电极84,其中漏电极84基本符合该凹槽;以及位于漏电极84和蛇形源电极80之间的有源沟道98,其中有源沟道98具有基本恒定的长度,其中有源沟道98的一个表面包括暴露的半导体材料。

基本信息
专利标题 :
用于成像系统的薄膜晶体管
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1795824A
申请号 :
CN200510133887.2
公开(公告)日 :
2006-07-05
申请日 :
2005-12-22
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
D·阿尔巴格利W·A·亨尼西A·J·库图尔C·科拉佐-达维拉
申请人 :
通用电气公司
申请人地址 :
美国纽约州
代理机构 :
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 :
刘红
优先权 :
CN200510133887.2
主分类号 :
A61B6/00
IPC分类号 :
A61B6/00  G01N23/04  G01T1/00  H01L29/786  
IPC结构图谱
A
A部——人类生活必需
A61
医学或兽医学;卫生学
A61B
诊断;外科;鉴定
A61B6/00
用于放射诊断的仪器,如与放射治疗设备相结合的
法律状态
2010-07-14 :
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101003236461
IPC(主分类) : A61B 6/00
专利申请号 : 2005101338872
公开日 : 20060705
2008-02-20 :
实质审查的生效
2006-07-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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