高跨导高厄利(Early)电压模似(MOS)晶体管
专利权的视为放弃
摘要
高跨导高Early电压的Mos晶体管——HGET，属于一族新型半导体集成器件。它能在常规的MOS工艺下制造出跨导为20～40mV，Early电压为40～50V的器件。这种器件放大器的电压增益可达57db，它的等效电路是由两个MOS管和一个双极型晶体管复合构成，它的工艺简单，又能比普通的MOS器件的芯片面积小β倍，用于模拟电路中即能获得高增益，又因互补作用，能灵活满足不同电路的设计要求。
基本信息
专利标题 ：
高跨导高厄利(Early)电压模似(MOS)晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86100192A
申请号 ：
CN86100192.3
公开（公告）日 ：
1987-07-22
申请日 ：
1986-01-12
授权号 ：
CN1005884B
授权日 ：
1989-11-22
发明人 ：
马龙钱其璈
申请人 ：
南开大学
申请人地址 ：
天津市南开区卫津路94号
代理机构 ：
南开大学专利事务所
代理人 ：
耿锡锟
优先权 ：
CN86100192.3
主分类号 ：
H01L29/68
IPC分类号 ：
H01L29/68 H01L29/50 H01L27/06
法律状态
1991-09-18 ：
专利权的视为放弃
1989-11-22 ：
审定
1988-05-18 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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