带静电保护的高导通电压LED集成芯片
避免重复授权放弃专利权
摘要
本实用新型公开了一种成本低、易于集成、散热效果好、耐高压性能好的带静电保护的高导通电压LED集成芯片。本实用新型包括若干个带有衬底(10)、N型外延层(11)、P型外延层(12)的LED裸芯片(1)和硅衬底(2)，硅衬底(2)上依次设有导热绝缘层I(41)、导热绝缘层II(42)，导热绝缘层II(42)上有金属层(6)，导热绝缘层I(41)与导热绝缘层II(42)之间于每个LED裸芯片(1)处均设有一个多晶硅块，每个多晶硅块的中间为多晶硅区I(9)、两侧为与多晶硅区I(9)极性相反的多晶硅区II(5)，两个分离的金属层(6)分别与位于同一个多晶硅块内的多晶硅区II(5)相连接。
基本信息
专利标题 ：
带静电保护的高导通电压LED集成芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200820051275.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2008-07-25
授权号 ：
CN201262955Y
授权日 ：
2009-06-24
发明人 ：
吴俊纬
申请人 ：
广州南科集成电子有限公司
申请人地址 ：
510663广东省广州市广州经济技术开发区科学城天丰路6号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200820051275.8
主分类号 ：
H01L25/00
IPC分类号 ：
H01L25/00 H01L25/075 H01L23/60 H01L23/36 H01L23/488
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
法律状态
2011-01-12 ：
避免重复授权放弃专利权
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101061476897
IPC(主分类) : H01L 25/00
专利号 : ZL2008200512758
申请日 : 20080725
授权公告日 : 20090624
放弃生效日 : 20080725
号牌文件序号 : 101061476897
IPC(主分类) : H01L 25/00
专利号 : ZL2008200512758
申请日 : 20080725
授权公告日 : 20090624
放弃生效日 : 20080725
2009-06-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
