带静电保护功能的LED芯片
专利权的终止
摘要
本实用新型公开了一种耐高压静电性能好的带静电保护功能的LED芯片。本实用新型包括LED裸芯片和硅衬底，硅衬底上依次生成有导热绝缘层I(41)、导热绝缘层II(42)，导热绝缘层II(42)上沉积有金属层(6)，各LED裸芯片正装或倒装在金属层(6)上，导热绝缘层I(41)与导热绝缘层II(42)之间设有由掺杂的多晶硅构成静电保护二极管区，静电保护二极管区包括多晶硅环I(9)、多晶硅环II(5)，多晶硅环II(5)位于中心圈及最外圈并与多晶硅环I(9)互相间隔嵌套设置，LED裸芯片、静电保护二极管区通过金属层(6)相连接构成静电保护电路。本实用新型可广泛应用于LED芯片领域。
基本信息
专利标题 ：
带静电保护功能的LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200820189450.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2008-09-01
授权号 ：
CN201266609Y
授权日 ：
2009-07-01
发明人 ：
吴俊纬
申请人 ：
广州南科集成电子有限公司
申请人地址 ：
510663广东省广州市广州经济技术开发区科学城天丰路6号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200820189450.X
主分类号 ：
H01L25/00
IPC分类号 ：
H01L25/00 H01L25/075 H01L23/60 H01L23/488 H01L23/36
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
法律状态
2012-11-14 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101344509973
IPC(主分类) : H01L 25/00
专利号 : ZL200820189450X
申请日 : 20080901
授权公告日 : 20090701
终止日期 : 20110901
号牌文件序号 : 101344509973
IPC(主分类) : H01L 25/00
专利号 : ZL200820189450X
申请日 : 20080901
授权公告日 : 20090701
终止日期 : 20110901
2009-07-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
