静电保护电路及芯片
授权
摘要
本公开提供一种静电保护电路及芯片，静电保护电路包括：第一静电旁路，包括第一P型晶体管，漏极耦接于第一节点，源极耦接于第一电压，栅极通过第一电阻模块连接于第二电压，第一节点电连接于信号输入引脚；第二静电旁路，包括第一N型晶体管，漏极耦接于第一节点，源极耦接于第二电压，栅极通过第二电阻模块连接于第一电压；输入缓冲电路，至少包括栅极耦接于第二节点的第二N型晶体管和第二P型晶体管；第三P型晶体管，耦接于第一节点、第二节点，控制端耦接于第三节点；控制模块，耦接于第一电压、第二电压、第三节点，用于控制第三P型晶体管在ESD电流产生时关断。本公开实施例可以克服MOS管栅氧化层厚度降低导致的GGNMOS电路保护功能失效问题。
基本信息
专利标题 ：
静电保护电路及芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921071866.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-09
授权号 ：
CN210640688U
授权日 ：
2020-05-29
发明人 ：
许杞安
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙宝海
优先权 ：
CN201921071866.6
主分类号 ：
H02H9/04
IPC分类号 ：
H02H9/04 H01L27/02
法律状态
2020-05-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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