静电保护电路

授权

摘要

一种静电保护电路，包括：电源端、输入焊盘端和接地端、第三PMOS晶体管、第三NMOS晶体管、内部电路、静电防护结构；内部电路具有第一输入端、第二输入端、第三输入端，第一输入端连接所述第三PMOS晶体管的漏极，所述第二输入端连接所述输入焊盘端，第三输入端连接所述第三NMOS晶体管漏极；第三PMOS晶体管的源极连接所述电源端，第三PMOS晶体管的栅极连接第一控制信号端；所述第三NMOS晶体管的源极连接所述接地端，所述第三NMOS晶体管的栅极连接第二控制信号端；所述静电防护结构位于所述内部电路的第二输入端和电源端之间以及第二输入端与接地端之间。本申请的静电保护电路具有很好的静电保护功能。

基本信息

专利标题：

静电保护电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921453065.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-09-03

授权号：

CN211089124U

授权日：

2020-07-24

发明人：

许杞安

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

孙佳胤

优先权：

CN201921453065.6

主分类号：

H02H9/04

IPC分类号：

H02H9/04 H01L27/02