静电保护电路、静电保护器件及其形成方法
授权
摘要
本公开提供了一种静电保护电路、静电保护器件及其形成方法，本公开的实施例通过在场效应晶体管的栅极和源极之间连接二级管形成静电保护器件，使得在静电放电电流通过场效应晶体管的漏极时，二极管延迟场效应晶体管的栅极和源极间的电荷的传输速度，由此导致场效应晶体管的栅极电位随漏极电位变化，进而导致一定的沟道电流，使静电保护的触发电压降低，提高静电保护电路的性能。
基本信息
专利标题 ：
静电保护电路、静电保护器件及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110797336A
申请号 ：
CN201810871787.7
公开（公告）日 ：
2020-02-14
申请日 ：
2018-08-02
授权号 ：
CN110797336B
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
蒋昊
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址 ：
天津市西青区经济开发区兴华道19号
代理机构 ：
北京睿派知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘锋
优先权 ：
CN201810871787.7
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-05-06 ：
授权
2020-03-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20180802
申请日 : 20180802
2020-02-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
