一种高导通电压倒装LED集成芯片
专利权的终止
摘要

本实用新型公开了一种成本低、易于集成、散热效果好、耐高压性能好的高导通电压倒装LED集成芯片。该集成芯片包括若干个LED裸芯片(1)和硅衬底(2),LED裸芯片(1)包括衬底(10)和N型外延层(11)、P型外延层(12),硅衬底(2)上生成有至少一层导热绝缘层,导热绝缘层上沉积有金属层(6),各LED裸芯片(1)对应的P型外延层(12)、N型外延层(11)分别通过焊球(80、81)倒装焊接在两个分离的金属层(6)上,若干个LED裸芯片(1)之间通过金属层(6)相连接组成电路。本实用新型可广泛应用于LED集成芯片领域。

基本信息
专利标题 :
一种高导通电压倒装LED集成芯片
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820048933.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-06-06
授权号 :
CN201222499Y
授权日 :
2009-04-15
发明人 :
吴纬国
申请人 :
广州南科集成电子有限公司
申请人地址 :
510663广东省广州市广州经济技术开发区科学城天丰路6号
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN200820048933.8
主分类号 :
H01L25/00
IPC分类号 :
H01L25/00  H01L25/075  H01L23/367  H01L23/488  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
法律状态
2011-08-17 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101097336435
IPC(主分类) : H01L 25/00
专利号 : ZL2008200489338
申请日 : 20080606
授权公告日 : 20090415
终止日期 : 20100606
2009-04-15 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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