高集成射频前端芯片及基站用射频前端
公开
摘要
本申请实施例涉及一种高集成射频前端芯片及基站用射频前端，高集成射频前端芯片包括：输入端口与输出端口，来自基站天线的射频信号经输出端口被发送至收发信机的反馈通道；放大器，用于对射频信号进行放大处理；滤波器，用于对射频信号进行滤波处理；第一射频开关，连接于输入端口，用于与放大器的第一端以及负载元件可切换地连接；第二射频开关，连接于输出端口，用于与放大器第二端及发射通道可切换地连接，当第一射频开关与放大器的第一端连接，第二射频开关与放大器第二端连接时，建立第一反馈检测通道；当第一射频开关负载元件连接，且第二射频开关与发射通道连接时，建立第二反馈检测通道。本申请实施例有利于降低基站用射频前端的成本。
基本信息
专利标题 ：
高集成射频前端芯片及基站用射频前端
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114629523A
申请号 ：
CN202210518323.4
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-05-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李凡龙
申请人 ：
绍兴圆方半导体有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市越城区皋埠街道银桥路326号3号楼2层203、204、206室
代理机构 ：
上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
成丽杰
优先权 ：
CN202210518323.4
主分类号 ：
H04B1/401
IPC分类号 ：
H04B1/401 H04B7/0404
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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