一种片上集成RC电路的射频芯片
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种片上集成RC电路的射频芯片，包括衬底和外延层，设置于外延层上的有源区，所述外延层上在有源区的栅极与输入金属焊盘之间设置有多组电阻电容组合结构，所述电阻电容组合结构的电阻和电容并联，所述有源区的栅极通过电阻电容组合结构后连接输入金属焊盘。片上集成RC电路的射频芯片，在芯片内部集成RC电路，提高了射频功率器件在低频和高频的增益及鲁棒性。
基本信息
专利标题 ：
一种片上集成RC电路的射频芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446926A
申请号 ：
CN202011189666.8
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2020-10-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
马强肖智敏
申请人 ：
苏州远创达科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区华云路1号东坊产业园7号楼2楼
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
范晴
优先权 ：
CN202011189666.8
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L23/528
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/522
申请日 : 20201030
申请日 : 20201030
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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