一种高导通低漏电的肖特基芯片
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摘要
一种高导通低漏电的肖特基芯片，属于半导体技术领域。包括衬底，在衬底表面设置有外延层，在外延层中部形成肖特基界面（4），其特征在于：所述的外延层包括第一外延层和第二外延层，在肖特基界面（4）下部的第二外延层内间隔设置有多个第二单晶硅区（5），在每一个第二单晶硅区（5）的下方分别设置有第一单晶硅区（3），第二单晶硅区（5）的宽度大于其底部对应的第一单晶硅区（3）的宽度。在本高导通低漏电的肖特基芯片中，设置有两层外延层，并通过设置第一单晶硅区和第二单晶硅区，可以有效阻断反向电流，同时有效增大肖特基界面的面积，降低了正向导通的电阻，因此增大了正向导通电流。
基本信息
专利标题 ：
一种高导通低漏电的肖特基芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921868925.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-01
授权号 ：
CN210516734U
授权日 ：
2020-05-12
发明人 ：
薛涛关仕汉迟晓丽
申请人 ：
淄博汉林半导体有限公司
申请人地址 ：
山东省淄博市高新区政通路135号高科技创业园C416室
代理机构 ：
淄博佳和专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
商晓
优先权 ：
CN201921868925.2
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L29/06
法律状态
2020-05-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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