一种低漏电率LED芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种低漏电率LED芯片，其包括：衬底，设于衬底上的外延层，所述外延层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；设于第二半导体层内的漏电阻挡层；设于第一半导体层上的第一电极；和设于第二半导体层上的第二电极；其中，所述漏电阻挡层包括微隙渗透层与钝化层；所述微隙渗透层与钝化层经退火工艺后相互重叠，形成所述漏电阻挡层。本实用新型在外延层上设置了漏电阻挡层，有效防止了形成透明导电层与电极过程中ITO和电极金属通过外延缺陷进入外延层中造成的LED芯片表面漏电问题。
基本信息
专利标题 ：
一种低漏电率LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920537546.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-18
授权号 ：
CN209544384U
授权日 ：
2019-10-25
发明人 ：
吴亦容陈凯赵兵庄家铭
申请人 ：
佛山市国星半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
胡枫
优先权 ：
CN201920537546.9
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14 H01L33/00
法律状态
2019-10-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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