一种基于硅衬底的新型非平面沟道氮化镓HEMT的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种基于硅衬底的新型非平面沟道氮化镓HEMT的制备方法，涉及半导体技术领域，通过上述方法获得了器件，该器件包括衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、源电极、漏电极、栅极以及钝化层。本发明提供的非平面沟道氮化镓HEMT不仅可以有效平滑沟道电场分布，有效抑制沟道尖峰电场强度，进而大幅改善器件击穿电压，而且可以保持低的沟道电阻，从而有效降低氮化镓HEMT的导通电阻。
基本信息
专利标题 ：
一种基于硅衬底的新型非平面沟道氮化镓HEMT的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530375A
申请号 ：
CN202210141267.7
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-02-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈瑶陈兴王东吴勇黄永邱慧嫣李彦佐林长志谢雨峰
申请人 ：
西安电子科技大学芜湖研究院
申请人地址 ：
安徽省芜湖市弋江区文津西路8号
代理机构 ：
芜湖思诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
房文亮
优先权 ：
CN202210141267.7
主分类号 ：
H01L21/335
IPC分类号 ：
H01L21/335 H01L29/06 H01L29/10 H01L29/778
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/335
申请日 : 20220216
申请日 : 20220216
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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