衬底激光切片方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及一种采用激光设备对衬底切片的方法，其包括的步骤有：从所述激光设备向所述衬底提供激光束(15)，从而将所述衬底(1)切片为至少两个管芯。在所述切片方法的第一阶段内向衬底提供第一辅助气体，在所述切片方法的第二后继阶段内向所述衬底提供第二辅助气体。所述方法能够在衬底的切片过程中形成降低的街区宽度，因而能够节约成本高昂的衬底面积。本发明还涉及一种激光切片系统、一种用于执行所述方法的计算机程序产品和一种可以通过所述方法得到的硅管芯。
基本信息
专利标题 ：
衬底激光切片方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101036223A
申请号 ：
CN200580033867.6
公开（公告）日 ：
2007-09-12
申请日 ：
2005-09-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
安东尼厄斯·J.·亨德里克斯亨德里克·J.·克特勒瑞伊瓦尔·J.·博依夫金
申请人 ：
皇家飞利浦电子股份有限公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
王英
优先权 ：
CN200580033867.6
主分类号 ：
H01L21/78
IPC分类号 ：
H01L21/78 B23K26/40 B23K26/14
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
法律状态
2010-01-13 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-12-05 ：
实质审查的生效
2007-09-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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