采用P型衬底的半导体激光器及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种采用P型衬底的半导体激光器，包括：P型衬底；在P型衬底上依次外延生长有P型缓冲层、P型传输层、P型限制层；在P型限制层上形成有P型波导层；在P型波导层上形成有有源层；在有源层上形成有N型波导层，N型波导层的厚度大于P型波导层的厚度；在N型波导层上形成叠层结构，叠层结构包括依次形成的N型限制层、N型缓冲层、N型欧姆接触层；其中，从叠层结构表面对叠层结构进行刻蚀以形成脊型波导，使脊型波导相对于P型波导层更靠近N型波导层。本发明提供的激光器，通过设计脊型波导相对于P型波导层更靠近N型波导层，使得脊型波导距离光场更近，从而对光场有更好的反馈。
基本信息
专利标题 ：
采用P型衬底的半导体激光器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114498281A
申请号 ：
CN202210134222.7
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-02-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘振武仲莉马骁宇刘素平熊聪
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
吴梦圆
优先权 ：
CN202210134222.7
主分类号 ：
H01S5/02
IPC分类号 ：
H01S5/02 H01S5/125 H01S5/22
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/02
申请日 : 20220214
申请日 : 20220214
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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